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厂商型号

2SA1381DSTU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP 300V 0.1A 7W

内部编号

3-2SA1381DSTU

#1

数量:363
1+¥1.0787
25+¥1.0017
100+¥1.0017
500+¥0.9246
1000+¥0.9246
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:363
1+¥1.0787
25+¥1.0017
100+¥1.0017
500+¥0.9246
1000+¥0.9246
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#3

数量:363
1+¥1.0787
25+¥1.0017
100+¥1.0017
500+¥0.9246
1000+¥0.9246
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SA1381DSTU产品详细规格

规格书 2SA1381DSTU datasheet 规格书
2SA1381/KSA1381
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 60
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 2mA, 20mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 60 @ 10mA, 10V
功率 - 最大 7W
频率转换 150MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 0.1
最小直流电流增益 60@10mA@10V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-225-AA
最低工作温度 -55
最大功率耗散 7000
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 150(Typ)
封装 Tube
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 300
供应商封装形式 TO-126
最大集电极发射极电压 300
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 150MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 2mA, 20mA
标准包装 60
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 TO-126
功率 - 最大 7W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 60 @ 10mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.1 A
集电极 - 基极电压 300 V
集电极 - 发射极电压 300 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 150 MHz
功率耗散 7 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-126
元件数 1
直流电流增益(最小值) 60
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
频率 150 MHz
集电极电流(DC ) 0.1 A
直流电流增益 60

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    0512-67687578
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